一、内存价格上调情况

据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在今年第四季度继续调整客户报价，包括DRAM和NAND在内的存储产品价格将上调高达30%，以顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。9月下旬三星电子就曾发出第四季度提价通知，当时计划部分DRAM价格上调15% - 30%，NAND闪存价格上调5% - 10%。花旗集团和摩根士丹利预测第四季度DRAM平均售价将上涨25 - 26%，比上一季度上涨10%以上，涨价热潮可能进一步加剧，本轮涨价幅度略高于预期。

二、存储芯片“超级周期”背景

（一）市场共识

存储芯片行业加速迈入“超级周期”已成为市场共识。存储模组大厂威刚董事长陈立白判断，第四季度只是存储严重缺货的起点，明年存储产业将继续供货吃紧。

（二）囤货行为

对存储芯片供应趋紧的预判加剧了市场囤货行为。《朝鲜日报》报道，几家领先的国际电子和服务器公司因担心DRAM短缺，正在囤积内存，并与三星和SK海力士洽谈签订2 - 3年长期供应协议，不同于以往按季度或年度签订合同的传统。

三、存储芯片“超级周期”源头

（一）AI和高性能计算需求爆发

存储芯片进入“超级周期”离不开AI和高性能计算需求的爆发。美光公司首席商务官苏米特·萨达纳表示，DRAM价格上涨部分原因是供应紧张，这一趋势很大程度上由HBM需求激增推动，因为HBM消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多。摩根士丹利预测，今年谷歌、亚马逊、Meta、微软等科技巨头将在人工智能基础设施上投入4000亿美元。

（二）厂商布局

国内外存储厂商纷纷将优先布局HBM相关的先进封测领域作为经营策略。10月20日消息，三星正加紧推进HBM4研发，计划10月27 - 31日发布并于今年晚些时候量产。佰维存储10月21日表示，公司晶圆级先进封测制项目处于投产准备过程中，正加紧惠州封测制造中心的产能扩建。

四、价格趋势与盈利预测

（一）HBM价格

TrendForce预测，2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%，达到1.80美元/Gb，盈利能力可观。另有机构预计明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元，比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上。

（二）非HBM内存芯片

韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能超越HBM。

五、未来展望

（一）乐观预期

上海证券研报表示，AI需求旺盛推动存储需求增长，同时由于海外原厂产能限制，2025年第四季度存储涨价趋势预计持续，看好本轮存储大周期。

（二）保守观点

华邦电董事长焦佑钧指出，当前DRAM供需不平衡，有可能实际需求并无这么多，但如今仍处在供不应求状况，致使缺口产生，供给不足导致价格狂飙。